【半導体戦争】韓国危うし。中国が技術格差を3年に詰めた。

Money1でもご紹介してきた中国の半導体メーカー『CXMT』が韓国企業を猛追している――という件です。

中国が技術力で負けているのは、一部半導体だけ――という状況になっており、韓国は対中国貿易で苦しくなっています。

韓国メディア『韓国経済』がいよいよ半導体の技術格差も3年まで詰まったという記事を出しています。同記事から一部を以下に引用します。

（前略）
先月17日、中国のある電子商取引サイトに投稿された1枚の写真が、世界の半導体業界を揺るがした。

その写真には、「中国半導体、止まらぬ勢い」との文句が記載されており、現地DRAMモジュール企業『キングバンク』が中国製DDR5 DRAMを使用して作った32GBモジュールの広告だった。

当時、このDRAMについて「『SKハイニックス』の中国工場で生産されたDRAMを利用したものだ」との見方と、「中国のDRAM躍進が結実した」との分析が分かれていたが、その正体が明らかになった。

それは、中国の『CXMT（ChangXin Memory Technologies）』が16ナノメートルの技術で量産したDDR5 DRAMであることが確認された。

26日、産業界によると、半導体専門市場調査会社『Tech Insights（テックインサイツ）』は最近の報告書で「中国市場に出回った32GB DDR5 DRAMモジュールは、CXMTの16Gb DDR5 DRAM16個で構成されており、『CXMT』の最新16㎚「G4」DRAM技術が適用されている」と発表した。

同社は先月市場に投入された中国製DDR5 DRAMモジュールを入手し、分析を行った。DDR5 DRAMは前世代のDDR4と比べて容量が大きく、データ転送速度が約2倍速いのが特徴だ。

『CXMT』が用いた16㎚ G4技術は、2021年にサムスン電子とSKハイニックスが本格量産を始めた10ナノ3世代（1z、15.8～16.2㎚）プロセスと同じレベルにある。

これにより、韓国企業と『CXMT』のDRAM技術の差が3年まで縮まったとの分析が出ている。

DDR4に関しては、技術の差は5年以上あった。

『テックインサイツ』は、

「『CXMT』が合衆国の規制を突破し、16㎚ DRAMを量産した意義は大きい」とし、「『サムスン電子』『SKハイニックス』と競争する準備が整ったことを意味する」

と評価した。

韓国の企業は、緊張状態にあります。『サムスン電子』と『SKハイニックス』は、『CXMT』の16㎚ DDR5 DRAM技術を詳細に分析し始めるなど、対応策を模索している。
（後略）

⇒参照・引用元：『韓国経済』「”중국 이 정도일 줄이야”…사진 한 장에 전세계 ‘발칵’」